FDD6606
Fairchild Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | FDD6606 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
386+ | $0.78 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252, (D-Pak) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 17A, 10V |
Verlustleistung (max) | 71W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 75A (Ta) |
FDD6606 Einzelheiten PDF [English] | FDD6606 PDF - EN.pdf |
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A DPAK
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
FAIRCHILD TO-252
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
MOSFET N-CH 20V 21A TO252
MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
FDD6512A-NL FAIRCHILD
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
MOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDD6606Fairchild Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|